mos场效应管
aic1660是一种单片CMOS开关电容电压变换器。aic1660的主要功能是将1.5V至6V范围内的正输入电压转换为-1.5V至-6V范围内的相应负输出电压。
该芯片包括一系列直流电源调节器、振荡..
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描述:
MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2302高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用,例如移动..
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特点:
• -30V/-6A
• RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
• RDS(ON) =68mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
• 超大密度单元、极小的RD..
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MEM2318典型应用:
• 电源设备 »» 电池保护
• 电源设备 »» 电源管理
• 电源设备 »» 负载开关
• 变频/控制/驱动电路 »» 低功率D..
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描述:
ME8205系列 共漏极N沟道增强型功率场效应(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电..
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MEM2306描述:
MEM2306系列双N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于..
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描述:
MEM2301M3G系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。
这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2301M3G系列适用于低压应用..
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MEM2307 详细介绍
MEM2307描述:
MEM2307系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2307高密度的工艺特别适用..
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MEM2310特点:
• 30V/5.8A
• RDS(ON) =25mΩ@ VGS=10V, ID=5.8A
• RDS(ON) =28mΩ@ VGS=4...
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MEM2303描述:
MEM2303系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2303高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2303适用于低压应用,例..
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