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ME6401系列  概述：  ME6401系列是高精度、低噪声，采用CMOS生产工艺的低压差双路电压调整器。具有低输出噪声，较高的纹波抑制比、低输入输出压差和非常快速的..

描述： MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2302高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用，例如移动..

特点: • -30V/-6A • RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A • RDS(ON) =68mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A • 超大密度单元、极小的RD..

描述: ME8205系列 共漏极N沟道增强型功率场效应（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM8205适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电..

 ME2100系列   DC/DC 芯片是采用CMOS工艺制造的低静态电流的PFM开关型DC/DC升压转换器。 该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大..

 ME2100系列   DC/DC 芯片是采用CMOS工艺制造的低静态电流的PFM开关型DC/DC升压转换器。 该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大..

Description：   The ME2129  series is a CMOS step-up s..

ME2100系列   DC/DC 芯片是采用CMOS工艺制造的低静态电流的PFM开关型DC/DC升压转换器。 该系列芯片采用先进的电路设计和制造工艺，极大地改善了开关..

General Description   ME2188 Series is a  PFM Step-up&nbs..

ME6206A系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流（8.0μA Typ.），它们能在输入、输出电压差极小的情况下提250mA..

  MEM2306描述: MEM2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于..

描述： MEM2301M3G系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。 这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2301M3G系列适用于低压应用..