双沟道NMOS管 MEM2306SG SOP-8 原装正品
销售价： ￥0.14
税前： ￥0.14
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MEM2306描述:
MEM2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
MEM2306特点:
• 20V/5A
• RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 贴片封装：SOP8
MEM2306应用:
• 笔记本电池管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• DC/DC转换
• 负载开关
• LCD显示适配器
南京微盟MOS管产品列表：
|
产品名称
|
通道
|
VDS(Max)
|
VGS
|
ID电流
|
导通电阻
|
封装形式
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|
NMOS
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20V
|
10V
|
5A
|
23mΩ
|
SOP8
|
|
|
PMOS
|
－20V
|
-8V
|
-3.1A
|
100mΩ
|
SOT23
|
|
|
PMOS
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-30V
|
-12V
|
-4.3V
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50mΩ
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SOT23
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NMOS
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30V
|
12V
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5.7A
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32mΩ
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SOT23
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|
PMOS
|
-30V
|
-20V
|
-4.3A
|
78mΩ
|
SOT23
|
|
|
PMOS
|
-30V
|
-20V
|
-6A
|
53mΩ
|
SOP8/SOT89
|
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|
PMOS
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－30V
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－20V
|
－6A
|
53mΩ
|
SOP8
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NMOS
|
20V
|
8V
|
3A
|
29mΩ
|
SOT23
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NMOS
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20V
|
12V
|
6A
|
20mΩ
|
TSSOP8/SOT26
|
|
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NMOS
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20V
|
12V
|
6A
|
19mΩ
|
TSSOP8/SOT26
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MEM2306描述:
MEM2306系列双N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。
MEM2306特点:
• 20V/5A
• RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 贴片封装：SOP8
MEM2306应用:
• 笔记本电池管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• DC/DC转换
• 负载开关
• LCD显示适配器
南京微盟MOS管产品列表：
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产品名称
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通道
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VDS(Max)
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VGS
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ID电流
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导通电阻
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封装形式
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NMOS
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20V
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10V
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5A
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23mΩ
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SOP8
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PMOS
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－20V
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-8V
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-3.1A
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100mΩ
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SOT23
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PMOS
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-30V
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-12V
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-4.3V
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50mΩ
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SOT23
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NMOS
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30V
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12V
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5.7A
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32mΩ
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SOT23
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PMOS
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-30V
|
-20V
|
-4.3A
|
78mΩ
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SOT23
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PMOS
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-30V
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-20V
|
-6A
|
53mΩ
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SOP8/SOT89
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PMOS
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－30V
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－20V
|
－6A
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53mΩ
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SOP8
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NMOS
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20V
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8V
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3A
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29mΩ
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SOT23
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NMOS
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20V
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12V
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6A
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20mΩ
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TSSOP8/SOT26
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NMOS
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20V
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12V
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6A
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19mΩ
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TSSOP8/SOT26
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