场效应MOS管 MEM2301 封装SOT23-3 ME原装现货

描述：

MEM2301M3G系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。

这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2301M3G系列适用于低压应用，

例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

这种低损耗可采用小尺寸封装。

特点：

-20V/-2.8A

RDS(ON) =93mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-2.8A

RDS(ON) =113mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2A

超大密  超小封装：SOT23-3L度单元、极小的RDS(ON)）

MEM2301M3G

系列

P

沟道增强型功率场

MEM2301M3G

系列

P

沟道增强型功率场

MEM2301M3G

系列

P

沟道增强型功率场

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