MEM2309SG原装正品金属氧化层半导体场效应晶体管

特点:
• -30V/-6A
• RDS(ON) =53mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
• RDS(ON) =68mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 采用SOP8封装

 

描述:
       MEM2309系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2309高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2309适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。

 

应用:
• 电源管理
• 负载开关
• 电池保护

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