特征:
• 电压保护:– 过压 (OV):±10mV
– 欠压 (UV):±20mV
• 电流保护:– 充电过流 (OCC):±1mV
– 放电过流 (OCD):±1mV
– 放电短路 (SCD):±5mV
• 温度保护:– 过热 (OT)
• 其他特性:– 支持低至 1mΩ 的检测电阻器 (RSNS)
– 高侧保护
– 高 Vgs FET 驱动器
– 0V 充电(仅限 BQ2980)
– CTR 引脚实现对系统复位/关断的 FET 超驰控制
– 通过外部 PTC 热敏电阻对 CTR 配置二次过热保护
• 电流消耗:– NORMAL 模式:4µA
– SHUTDOWN 模式:0.1µA(最大值)
• 封装:– 8 引脚 X2QFN:1.50 × 1.50 × 0.37mm